RAM Netac Z RGB DDR5 là sản phẩm hàng đầu của thương hiệu Netac, được thiết kế dành riêng cho game thủ và những người dùng cần hiệu suất cao. Với thiết kế hiện đại, hiệu ứng RGB tùy chỉnh và tốc độ vượt trội lên đến 8000MHz, đây là sự lựa chọn lý tưởng cho những ai muốn tối ưu hệ thống của mình.
- Xuất xứ: China
RAM Netac Z RGB DDR5
Liên hệ- Hiệu ứng đèn RGB có thể điều chỉnh
- 32 Bank với x4/x8 / 16 Bank với x16
- 8 BG (Nhóm Bank) cho các cấu hình X4/X8/X16
- Hỗ trợ BL16, BC8 OTF, BL32, BL32 OTF
- Làm mới cùng Bank
- Thay đổi tần số xung nhịp đầu vào
- Lệnh Đa Mục Đích (MPC)
- Khả năng địa chỉ hóa từng DRAM (PDA)
- Kiểm tra kết nối (CT) / Hiệu chuẩn ZQ
- DFE (Equalizer phản hồi quyết định) cho DQ
- Bộ dao động khoảng thời gian DQS
- ECC trên chip
- CRC (Kiểm tra dư thừa tuần hoàn)
- Chế độ kiểm tra đầu ra gói
- Các chế độ huấn luyện:
- Huấn luyện VrefDQ / VrefCA / VrefCS
- Chế độ huấn luyện đọc
- Chế độ huấn luyện CA
- Chế độ huấn luyện CS
- Huấn luyện VREFDQ từng chân
- Chế độ huấn luyện mức ghi
- Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ (DCA) cho đọc – Toàn cầu
- Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ từng chân (DCA) cho đọc – Từng chân (DQ)
- PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
- Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
RAM Netac Shadow II DDR5 Black
Liên hệTính năng:
- Điện Áp Tiêu Chuẩn
DRAM VDD/VDDQ = 1.1V Typical, DRAM VPP = 1.8V Typical, VDDSPD = 1.8V to 2.0V. - Cấu Hình Nâng Cao
32 Bank với x4/x8, 16 Bank với x16, 8 nhóm Bank (Bank Group) cho các cấu hình X4/X8/X16. - Hỗ Trợ BL16, BC8 OTF, BL32, BL32 OTF
- Làm Mới Cùng Bank (Same Bank Refresh)
- Thay Đổi Tần Số Xung Đầu Vào (Input Clock Frequency Change)
- Lệnh Đa Năng (Multi-Purpose Command – MPC)
- Địa Chỉ Mỗi DRAM (Per DRAM Addressability – PDA)
- Kiểm Tra Kết Nối (Connectivity Test – CT) / Hiệu Chỉnh ZQ (ZQ Calibration)
- Cân Bằng Phản Hồi Quyết Định (Decision Feedback Equalization – DFE) cho DQ
- Dao Động Khoảng Cách DQS (DQS Interval Oscillator)
- Sửa Lỗi ECC Trên Die (On-Die ECC)
- Kiểm Tra Chu Kỳ (Cyclic Redundancy Check – CRC)
- Chế Độ Kiểm Tra Đầu Ra Gói (Package Output Driver Test Mode)
- Các Chế Độ Đào Tạo (Training Modes):
- Đào Tạo VrefDQ / VrefCA / VrefCS
- Chế Độ Đào Tạo Đọc (Read Training Mode)
- Chế Độ Đào Tạo CA (CA Training Mode)
- Chế Độ Đào Tạo CS (CS Training Mode)
- Đào Tạo VREFDQ Mỗi Pin (Per Pin VREFDQ Training)
- Chế Độ Đào Tạo Cấp Độ Ghi (Write Leveling Training Mode)
- Điều Chỉnh Chu Kỳ Nhiệm Vụ (Duty Cycle Adjuster – DCA) cho Đọc – Toàn Cầu
- Điều Chỉnh Chu Kỳ Nhiệm Vụ Mỗi Pin (Per Pin DCA) cho Đọc – Mỗi Pin (DQ)
- PCB: Chiều Cao 1.23” (31.25mm)
- Tuân Thủ RoHS và Không Chứa Halogen
RAM Netac Basic DDR5 U-DIMM
Liên hệ- Điện Áp Tiêu Chuẩn
Với sự kết hợp giữa tốc độ khủng 7600MHz, RGB sống động, thiết kế tản nhiệt cao cấp cùng công nghệ On-die ECC & PMIC, RAM Netac Shadow II RGB DDR5 7600 chính là mảnh ghép hoàn hảo để nâng cấp sức mạnh cho dàn PC gaming hoặc workstation của bạn.
- Xuất xứ: China
RAM Netac Shadow II RGB DDR5 7600 32GB(16GB*2)
Liên hệNếu bạn đang tìm kiếm một giải pháp nâng cấp bộ nhớ cho máy tính của mình, thì RAM Netac Shadow II DDR4 Black chính là sự lựa chọn hoàn hảo. Với tần số cao từ 2666MHz đến 3600MHz, sản phẩm này mang đến hiệu suất vượt trội, giúp máy tính của bạn hoạt động nhanh chóng và mượt mà hơn bao giờ hết.
- Xuất xứ: China
RAM Netac Shadow II DDR4 Black
Liên hệ- Tản nhiệt hợp kim nhôm đặc biệt
- Đầu cuối trên chip (ODT) định mức và động cho tín hiệu dữ liệu, tín hiệu chốt và tín hiệu mặt nạ
- Làm mới tự động với công suất thấp (LPASR)
- Đảo ngược bus dữ liệu (DBI)
- Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ trên chip
- EEPROM phát hiện hiện diện nối tiếp (I2C SPD) trên bo mạch
- Burst chop (BC) cố định 4 và độ dài burst (BL) 8 thông qua chế độ đăng ký (MRS)
- Chọn BC4 hoặc BL8 linh hoạt (OTF)
- Kiểm tra CRC cho bus dữ liệu
- Làm mới theo nhiệt độ (TCR)
- Parity lệnh/địa chỉ (CA)
- Hỗ trợ địa chỉ từng DRAM
- Tiền truy xuất 8 bit
- Cấu trúc fly-by
- Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
- Bus lệnh và địa chỉ được kết thúc
- PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
- Chân tiếp xúc mạ vàng
- Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS và không chứa halogen
RAM Netac Shadow II DDR4 White
Liên hệRAM Colorfire MEOW DDR5 32GB (16×2) 6000 C32 OC thuộc dòng sản phẩm MEOW cực nổi tiếng của Colorfire, nổi bật bằng phong cách đáng yêu nhưng không thiếu phần “khét lẹt” trong hiệu suất. Bộ nhớ DDR5 thế hệ mới tốc độ lên đến 6000MHz cùng độ trễ thấp cho khả năng xử lý tác vụ đa nhiệm, gaming và đồ họa cực mượt.
- Xuất xứ: China
RAM Colorfire MEOW DDR5 32GB (16×2) 6000 C32 OC
Liên hệRAM Netac Shadow S DDR4 White là lựa chọn hoàn hảo cho những ai muốn nâng cấp hệ thống máy tính của mình với hiệu suất cao và thiết kế ấn tượng. Với tần số từ 2666MHz đến 3600MHz, sản phẩm này mang lại khả năng xử lý dữ liệu mạnh mẽ và trải nghiệm chơi game mượt mà.
- Xuất xứ: China
RAM Netac Shadow S DDR4 White
Liên hệRAM Apacer DDR4 3200MHz OC NOX là dòng sản phẩm cao cấp đến từ thương hiệu Apacer, được thiết kế dành riêng cho những người đam mê công nghệ, game thủ và những ai yêu cầu hiệu suất máy tính vượt trội. Với các tính năng tối ưu về tản nhiệt, khả năng ép xung dễ dàng và độ tương thích cao, RAM Apacer NOX hứa hẹn mang lại trải nghiệm sử dụng mượt mà và ổn định.
- Xuất xứ: China
RAM Apacer DDR4 3200MHz OC NOX
Liên hệTính Năng
- Tản Nhiệt Hợp Kim Nhôm Được Thiết Kế Đặc Biệt
- EEPROM SPD (Serial Presence-Detect) I2C Trên Bo Mạch
- Burst Chop (BC) Cố Định là 4 và Độ Dài Burst (BL) là 8 thông qua bộ cài đặt chế độ (MRS)
- Kiểm Tra Chu Kỳ (CRC) khi ghi dữ liệu bus
- Làm Mới Điều Khiển Nhiệt Độ (TCR)
- Parity của Lệnh/Địa Chỉ (CA)
- Hỗ Trợ Địa Chỉ Mỗi DRAM
- Lấy Dữ Liệu Trước 8 Bit
- Cấu Trúc Liên Kết Theo Dòng (Fly-by topology)
- Độ Trễ Lệnh/Địa Chỉ (CAL)
- Điều Khiển Lệnh và Địa Chỉ Kết Thúc
- PCB: Chiều Cao 1.23” (31.25mm)
- Tiếp Điểm Mạ Vàng
- Tuân Thủ RoHS và Không Chứa Halogen
RAM Netac Shadow DDR4
Liên hệTính năng nổi bật
- Nguồn cung cấp: VDD = 1.2V (1.14V đến 1.26V)
- VDDQ: 1.2V (1.14V đến 1.26V)
- VPP: 2.5V (2.375V đến 2.75V)
- VDDSPD: 2.25V đến 3.6V
- Kết thúc trên die danh định và động (ODT) cho dữ liệu, nhịp và tín hiệu mặt nạ
- Tự làm mới tự động tiết kiệm điện (LPASR)
- Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu
- Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ trên die
- EEPROM phát hiện sự hiện diện nối tiếp I2C trên bo mạch (SPD)
- Chặt nổ cố định (BC) của 4 và chiều dài nổ (BL) của 8 thông qua tập hợp thanh ghi chế độ (MRS)
- Chọn BC4 hoặc BL8 theo yêu cầu (OTF)
- Kiểm tra chu kỳ dư (CRC) của bus ghi dữ liệu
- Làm mới điều khiển nhiệt độ (TCR)
- Chẵn lẻ lệnh/địa chỉ (CA)
- Hỗ trợ địa chỉ từng DRAM
- Nạp trước 8 bit
- Cấu trúc liên kết fly-by
- Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
- Kết thúc lệnh điều khiển và bus địa chỉ
- PCB: Chiều cao 1.18” (30.00mm)
- Tiếp xúc cạnh vàng
- Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
RAM Netac Basic SODIMM DDR4
Liên hệ













































