Kiểu bộ nhớ

Show
  • RAM Netac Basic DDR5 U-DIMM

    Liên hệ

    Tính năng:

    • Điện Áp Tiêu Chuẩn
      DRAM VDD/VDDQ = 1.1V Typical, DRAM VPP = 1.8V Typical, VDDSPD = 1.8V to 2.0V.
    • Cấu Hình Nâng Cao
      32 Bank với x4/x8, 16 Bank với x16, 8 nhóm Bank (Bank Group) cho các cấu hình X4/X8/X16.
    • Hỗ Trợ BL16, BC8 OTF, BL32, BL32 OTF
    • Làm Mới Cùng Bank (Same Bank Refresh)
    • Thay Đổi Tần Số Xung Đầu Vào (Input Clock Frequency Change)
    • Lệnh Đa Năng (Multi-Purpose Command – MPC)
    • Địa Chỉ Mỗi DRAM (Per DRAM Addressability – PDA)
    • Kiểm Tra Kết Nối (Connectivity Test – CT) / Hiệu Chỉnh ZQ (ZQ Calibration)
    • Cân Bằng Phản Hồi Quyết Định (Decision Feedback Equalization – DFE) cho DQ
    • Dao Động Khoảng Cách DQS (DQS Interval Oscillator)
    • Sửa Lỗi ECC Trên Die (On-Die ECC)
    • Kiểm Tra Chu Kỳ (Cyclic Redundancy Check – CRC)
    • Chế Độ Kiểm Tra Đầu Ra Gói (Package Output Driver Test Mode)
    • Các Chế Độ Đào Tạo (Training Modes):
      • Đào Tạo VrefDQ / VrefCA / VrefCS
      • Chế Độ Đào Tạo Đọc (Read Training Mode)
      • Chế Độ Đào Tạo CA (CA Training Mode)
      • Chế Độ Đào Tạo CS (CS Training Mode)
      • Đào Tạo VREFDQ Mỗi Pin (Per Pin VREFDQ Training)
      • Chế Độ Đào Tạo Cấp Độ Ghi (Write Leveling Training Mode)
      • Điều Chỉnh Chu Kỳ Nhiệm Vụ (Duty Cycle Adjuster – DCA) cho Đọc – Toàn Cầu
      • Điều Chỉnh Chu Kỳ Nhiệm Vụ Mỗi Pin (Per Pin DCA) cho Đọc – Mỗi Pin (DQ)
    • PCB: Chiều Cao 1.23” (31.25mm)
    • Tuân Thủ RoHS và Không Chứa Halogen
  • RAM APACER SO-DIMM DDR5 5600 MHZ

    1,550,000 VND2,890,000 VND

    Bộ nhớ RAM DDR5 đang mang đến những cải tiến vượt bậc trong công nghệ máy tính, giúp nâng cao hiệu suất cho laptop. RAM APACER SO-DIMM DDR5 5600 MHZ là lựa chọn tối ưu cho người dùng muốn trải nghiệm sức mạnh tốc độ và sự mượt mà trong mọi tác vụ.

    • Xuất xứ: China
  • RAM Netac Shadow II DDR5 Black

    1,380,000 VND2,700,000 VND
    • Hiệu ứng đèn RGB có thể điều chỉnh
    • 32 Bank với x4/x8 / 16 Bank với x16
    • 8 BG (Nhóm Bank) cho các cấu hình X4/X8/X16
    • Hỗ trợ BL16, BC8 OTF, BL32, BL32 OTF
    • Làm mới cùng Bank
    • Thay đổi tần số xung nhịp đầu vào
    • Lệnh Đa Mục Đích (MPC)
    • Khả năng địa chỉ hóa từng DRAM (PDA)
    • Kiểm tra kết nối (CT) / Hiệu chuẩn ZQ
    • DFE (Equalizer phản hồi quyết định) cho DQ
    • Bộ dao động khoảng thời gian DQS
    • ECC trên chip
    • CRC (Kiểm tra dư thừa tuần hoàn)
    • Chế độ kiểm tra đầu ra gói
    • Các chế độ huấn luyện:
      • Huấn luyện VrefDQ / VrefCA / VrefCS
      • Chế độ huấn luyện đọc
      • Chế độ huấn luyện CA
      • Chế độ huấn luyện CS
      • Huấn luyện VREFDQ từng chân
      • Chế độ huấn luyện mức ghi
      • Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ (DCA) cho đọc – Toàn cầu
      • Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ từng chân (DCA) cho đọc – Từng chân (DQ)
    • PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
    • Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
  • RAM Netac Shadow II DDR5 White

    Liên hệ
    • Bộ tản nhiệt bằng hợp kim nhôm được thiết kế đặc biệt
    • 32 Bank với x4/x8 / 16 Bank với x16
    • 8 BG (Nhóm Bank) cho các cấu hình X4/X8/X16
    • Hỗ trợ BL16, BC8 OTF, BL32, BL32 OTF
    • Làm mới cùng Bank
    • Thay đổi tần số xung nhịp đầu vào
    • Lệnh Đa Mục Đích (MPC)
    • Khả năng địa chỉ hóa từng DRAM (PDA)
    • Kiểm tra kết nối (CT) / Hiệu chuẩn ZQ
    • DFE (Equalizer phản hồi quyết định) cho DQ
    • Bộ dao động khoảng thời gian DQS
    • ECC trên chip
    • CRC (Kiểm tra dư thừa tuần hoàn)
    • Chế độ kiểm tra đầu ra gói
    • Các chế độ huấn luyện:
      • Huấn luyện VrefDQ / VrefCA / VrefCS
      • Chế độ huấn luyện đọc
      • Chế độ huấn luyện CA
      • Chế độ huấn luyện CS
      • Huấn luyện VREFDQ từng chân
      • Chế độ huấn luyện mức ghi
      • Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ (DCA) cho đọc – Toàn cầu
      • Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ từng chân (DCA) cho đọc – Từng chân (DQ)
    • PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
    • Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
  • RAM Netac Shadow RGB DDR4 Silver

    Liên hệ

    Tính năng

    • Hiệu ứng đèn RGB có thể điều chỉnh
    • Kết thúc trên chip (ODT) cho tín hiệu dữ liệu, strobe và mask
    • Tự làm mới tự động tiêu thụ điện năng thấp (LPASR)
    • Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu
    • Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ trên chip
    • EEPROM phát hiện hiện diện nối tiếp I2 trên bo mạch
    • 16 bank nội bộ; 4 nhóm mỗi nhóm 4 bank
    • Cắt cố định burst (BC) là 4 và chiều dài burst (BL) là 8 thông qua bộ đăng ký chế độ (MRS)
    • Chọn BC4 hoặc BL8 trên đường bay (OTF)
    • Kiểm tra dư thừa tuần hoàn (CRC) ghi dữ liệu bus
    • Làm mới được kiểm soát nhiệt độ (TCR)
    • Parity lệnh/địa chỉ (CA)
    • Hỗ trợ địa chỉ hóa từng DRAM
    • 8 bit pre-fetch
    • Kiến trúc fly-by
    • Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
    • Bus lệnh và địa chỉ kết thúc
    • PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
    • Tiếp xúc cạnh mạ vàng
    • Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
  • RAM Netac Basic DDR4 UDIMM

    Liên hệ

    Các Tính Năng Nâng Cao

    • ODT Tĩnh và Động Trên Die
      Kết thúc trên die (ODT) cho dữ liệu, nhịp, và tín hiệu mask.
    • Tự Làm Mới Tiết Kiệm Điện (LPASR)
    • Đảo Chiều Bus Dữ Liệu (DBI)
      Đảo chiều bus dữ liệu để cải thiện hiệu suất.
    • Tạo và Hiệu Chỉnh VREFDQ Trên Die
    • EEPROM SPD Serial Trên Bo Mạch I2C
    • Chop Burst Cố Định (BC) và Độ Dài Burst (BL) qua Bộ Đăng Ký Chế Độ (MRS)
      Hỗ trợ BC cố định 4 và BL cố định 8.
    • Chọn BC4 hoặc BL8 Theo Yêu Cầu (OTF)
    • Kiểm Tra Chu Kỳ Dữ Liệu (CRC)
    • Làm Mới Kiểm Soát Nhiệt Độ (TCR)
    • Parity Command/Address (CA)
    • Hỗ Trợ Địa Chỉ Mỗi DRAM (PDA)
    • Tiền Xử Lý 8 Bit
    • Topology Fly-by
    • Độ Trễ Command/Address (CAL)
    • Bus Command và Address Có Kết Thúc
    • PCB: Chiều Cao 1.23” (31.25mm)
    • Mạ Vàng
      Mạ vàng trên các tiếp điểm giúp tăng cường độ dẫn điện và chống ăn mòn.
    • Tuân Thủ RoHS và Không Chứa Halogen
  • RAM Netac Z RGB DDR5

    Liên hệ

    RAM Netac Z RGB DDR5 là sản phẩm hàng đầu của thương hiệu Netac, được thiết kế dành riêng cho game thủ và những người dùng cần hiệu suất cao. Với thiết kế hiện đại, hiệu ứng RGB tùy chỉnh và tốc độ vượt trội lên đến 8000MHz, đây là sự lựa chọn lý tưởng cho những ai muốn tối ưu hệ thống của mình.

    • Xuất xứ: China
  • RAM Netac Shadow S DDR4 White

    450,000 VND750,000 VND

    RAM Netac Shadow S DDR4 White là lựa chọn hoàn hảo cho những ai muốn nâng cấp hệ thống máy tính của mình với hiệu suất cao và thiết kế ấn tượng. Với tần số từ 2666MHz đến 3600MHz, sản phẩm này mang lại khả năng xử lý dữ liệu mạnh mẽ và trải nghiệm chơi game mượt mà.

    • Xuất xứ: China
  • RAM Netac Z RGB DDR5

    Liên hệ
    • Hiệu ứng đèn RGB có thể điều chỉnh
    • 32 Bank với x4/x8 / 16 Bank với x16
    • 8 BG (Nhóm Bank) cho các cấu hình X4/X8/X16
    • Hỗ trợ BL16, BC8 OTF, BL32, BL32 OTF
    • Làm mới cùng Bank
    • Thay đổi tần số xung nhịp đầu vào
    • Lệnh Đa Mục Đích (MPC)
    • Khả năng địa chỉ hóa từng DRAM (PDA)
    • Kiểm tra kết nối (CT) / Hiệu chuẩn ZQ
    • DFE (Equalizer phản hồi quyết định) cho DQ
    • Bộ dao động khoảng thời gian DQS
    • ECC trên chip
    • CRC (Kiểm tra dư thừa tuần hoàn)
    • Chế độ kiểm tra đầu ra gói
    • Các chế độ huấn luyện:
      • Huấn luyện VrefDQ / VrefCA / VrefCS
      • Chế độ huấn luyện đọc
      • Chế độ huấn luyện CA
      • Chế độ huấn luyện CS
      • Huấn luyện VREFDQ từng chân
      • Chế độ huấn luyện mức ghi
      • Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ (DCA) cho đọc – Toàn cầu
      • Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ từng chân (DCA) cho đọc – Từng chân (DQ)
    • PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
    • Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
  • RAM Netac Basic SODIMM DDR4

    460,000 VND850,000 VND

    Tính năng nổi bật

    • Nguồn cung cấp: VDD = 1.2V (1.14V đến 1.26V)
    • VDDQ: 1.2V (1.14V đến 1.26V)
    • VPP: 2.5V (2.375V đến 2.75V)
    • VDDSPD: 2.25V đến 3.6V
    • Kết thúc trên die danh định và động (ODT) cho dữ liệu, nhịp và tín hiệu mặt nạ
    • Tự làm mới tự động tiết kiệm điện (LPASR)
    • Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu
    • Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ trên die
    • EEPROM phát hiện sự hiện diện nối tiếp I2C trên bo mạch (SPD)
    • Chặt nổ cố định (BC) của 4 và chiều dài nổ (BL) của 8 thông qua tập hợp thanh ghi chế độ (MRS)
    • Chọn BC4 hoặc BL8 theo yêu cầu (OTF)
    • Kiểm tra chu kỳ dư (CRC) của bus ghi dữ liệu
    • Làm mới điều khiển nhiệt độ (TCR)
    • Chẵn lẻ lệnh/địa chỉ (CA)
    • Hỗ trợ địa chỉ từng DRAM
    • Nạp trước 8 bit
    • Cấu trúc liên kết fly-by
    • Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
    • Kết thúc lệnh điều khiển và bus địa chỉ
    • PCB: Chiều cao 1.18” (30.00mm)
    • Tiếp xúc cạnh vàng
    • Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
  • RAM Netac Shadow II DDR4 White

    460,000 VND850,000 VND
    • Tản nhiệt hợp kim nhôm đặc biệt
    • Đầu cuối trên chip (ODT) định mức và động cho tín hiệu dữ liệu, tín hiệu chốt và tín hiệu mặt nạ
    • Làm mới tự động với công suất thấp (LPASR)
    • Đảo ngược bus dữ liệu (DBI)
    • Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ trên chip
    • EEPROM phát hiện hiện diện nối tiếp (I2C SPD) trên bo mạch
    • Burst chop (BC) cố định 4 và độ dài burst (BL) 8 thông qua chế độ đăng ký (MRS)
    • Chọn BC4 hoặc BL8 linh hoạt (OTF)
    • Kiểm tra CRC cho bus dữ liệu
    • Làm mới theo nhiệt độ (TCR)
    • Parity lệnh/địa chỉ (CA)
    • Hỗ trợ địa chỉ từng DRAM
    • Tiền truy xuất 8 bit
    • Cấu trúc fly-by
    • Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
    • Bus lệnh và địa chỉ được kết thúc
    • PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
    • Chân tiếp xúc mạ vàng
    • Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS và không chứa halogen