netac - NETWORK HUB

Showing 25–33 of 33 item(s)

Show

Quick View
RAM Netac Basic DDR5 SO-DIMM
Liên hệ
Tính năng nổi bật:
DRAM VDD/VDDQ = 1.1V tiêu chuẩn / DRAM VPP = 1.8V tiêu chuẩn / VDDSPD = 1.8V đến 2.0V
32 Bank với x4/x8 / 16 Bank với x16
8 BG (Bank Group) cho các cấu hình X4/X8/X16
Hỗ trợ BL16, BC8 OTF, BL32, BL32 OTF
Làm mới cùng Bank
Thay đổi tần số xung nhịp đầu vào
Lệnh đa năng (MPC)
Địa chỉ từng DRAM (PDA)
Kiểm tra kết nối (CT) / Hiệu chỉnh ZQ
DFE (Cân bằng phản hồi quyết định) cho DQ
Dao động khoảng cách DQS
Sửa lỗi ECC trên die
CRC (Kiểm tra tuần hoàn chu kỳ)
Chế độ kiểm tra đầu ra gói
Các chế độ đào tạo:
Đào tạo VrefDQ / VrefCA / VrefCS
Chế độ đào tạo đọc
Chế độ đào tạo CA
Chế độ đào tạo CS
Đào tạo VREFDQ từng chân
Chế độ đào tạo cân bằng ghi
Bộ điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ (DCA) cho đọc – Toàn cầu
Bộ điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ từng chân (DCA) cho đọc – Từng chân (DQ)
PCB: Chiều cao 1.18″ (30.00mm)
Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
Lựa chọn tùy chọn
Quick View
RAM Netac Basic SODIMM DDR4
Liên hệ
Tính năng nổi bật
Nguồn cung cấp: VDD = 1.2V (1.14V đến 1.26V)
VDDQ: 1.2V (1.14V đến 1.26V)
VPP: 2.5V (2.375V đến 2.75V)
VDDSPD: 2.25V đến 3.6V
Kết thúc trên die danh định và động (ODT) cho dữ liệu, nhịp và tín hiệu mặt nạ
Tự làm mới tự động tiết kiệm điện (LPASR)
Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu
Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ trên die
EEPROM phát hiện sự hiện diện nối tiếp I2C trên bo mạch (SPD)
Chặt nổ cố định (BC) của 4 và chiều dài nổ (BL) của 8 thông qua tập hợp thanh ghi chế độ (MRS)
Chọn BC4 hoặc BL8 theo yêu cầu (OTF)
Kiểm tra chu kỳ dư (CRC) của bus ghi dữ liệu
Làm mới điều khiển nhiệt độ (TCR)
Chẵn lẻ lệnh/địa chỉ (CA)
Hỗ trợ địa chỉ từng DRAM
Nạp trước 8 bit
Cấu trúc liên kết fly-by
Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
Kết thúc lệnh điều khiển và bus địa chỉ
PCB: Chiều cao 1.18” (30.00mm)
Tiếp xúc cạnh vàng
Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
Lựa chọn tùy chọn
Quick View
Ổ Cứng Di Động Netac ZX20 USB 3.2 Gen 2×2 Portable SSD
Liên hệ
Trong thời đại công nghệ hiện đại, nhu cầu về một ổ SSD di động nhanh, nhẹ và đa năng ngày càng trở nên quan trọng. Netac ZX20 USB 3.2 Gen 2×2 Portable SSD từ Netac không chỉ đáp ứng mà còn vượt xa kỳ vọng với hiệu suất vượt trội, thiết kế nhỏ gọn và khả năng tương thích linh hoạt.
Xuất xứ: China
Đọc tiếp
Quick View
RAM Netac Shadow II RGB DDR5 7600 32GB(16GB*2)
Liên hệ
Với sự kết hợp giữa tốc độ khủng 7600MHz, RGB sống động, thiết kế tản nhiệt cao cấp cùng công nghệ On-die ECC & PMIC, RAM Netac Shadow II RGB DDR5 7600 chính là mảnh ghép hoàn hảo để nâng cấp sức mạnh cho dàn PC gaming hoặc workstation của bạn.
Xuất xứ: China
Lựa chọn tùy chọn
Quick View
RAM Netac Shadow II DDR5 Black
Liên hệ
Hiệu ứng đèn RGB có thể điều chỉnh
32 Bank với x4/x8 / 16 Bank với x16
8 BG (Nhóm Bank) cho các cấu hình X4/X8/X16
Hỗ trợ BL16, BC8 OTF, BL32, BL32 OTF
Làm mới cùng Bank
Thay đổi tần số xung nhịp đầu vào
Lệnh Đa Mục Đích (MPC)
Khả năng địa chỉ hóa từng DRAM (PDA)
Kiểm tra kết nối (CT) / Hiệu chuẩn ZQ
DFE (Equalizer phản hồi quyết định) cho DQ
Bộ dao động khoảng thời gian DQS
ECC trên chip
CRC (Kiểm tra dư thừa tuần hoàn)
Chế độ kiểm tra đầu ra gói
Các chế độ huấn luyện:
Huấn luyện VrefDQ / VrefCA / VrefCS
Chế độ huấn luyện đọc
Chế độ huấn luyện CA
Chế độ huấn luyện CS
Huấn luyện VREFDQ từng chân
Chế độ huấn luyện mức ghi
Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ (DCA) cho đọc – Toàn cầu
Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ từng chân (DCA) cho đọc – Từng chân (DQ)
PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
Lựa chọn tùy chọn
Quick View
RAM Netac Shadow RGB DDR4 Silver
Liên hệ
Tính năng
Hiệu ứng đèn RGB có thể điều chỉnh
Kết thúc trên chip (ODT) cho tín hiệu dữ liệu, strobe và mask
Tự làm mới tự động tiêu thụ điện năng thấp (LPASR)
Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu
Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ trên chip
EEPROM phát hiện hiện diện nối tiếp I2 trên bo mạch
16 bank nội bộ; 4 nhóm mỗi nhóm 4 bank
Cắt cố định burst (BC) là 4 và chiều dài burst (BL) là 8 thông qua bộ đăng ký chế độ (MRS)
Chọn BC4 hoặc BL8 trên đường bay (OTF)
Kiểm tra dư thừa tuần hoàn (CRC) ghi dữ liệu bus
Làm mới được kiểm soát nhiệt độ (TCR)
Parity lệnh/địa chỉ (CA)
Hỗ trợ địa chỉ hóa từng DRAM
8 bit pre-fetch
Kiến trúc fly-by
Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
Bus lệnh và địa chỉ kết thúc
PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
Tiếp xúc cạnh mạ vàng
Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
Đọc tiếp
Quick View
RAM Netac Shadow RGB DDR4 Grey
Liên hệ
Hiệu ứng ánh sáng RGB có thể điều chỉnh
Điện trở trên chip (ODT) cho tín hiệu dữ liệu, chốt và mặt nạ
Tự làm mới với công suất thấp (LPASR)
Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu
Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ trên chip
EEPROM phát hiện hiện diện nối tiếp I2 trên bo mạch
Burst chop cố định (BC) là 4 và độ dài burst (BL) là 8 thông qua thiết lập thanh ghi chế độ (MRS)
Chọn lựa BC4 hoặc BL8 trên chuyến bay (OTF)
Kiểm tra dư thừa tuần hoàn (CRC) của bus ghi dữ liệu
Làm mới điều khiển nhiệt độ (TCR)
Độ trễ lệnh/địa chỉ (CA) parity
Hỗ trợ địa chỉ từng DRAM
Tiền truy xuất 8 bit
Kiến trúc Fly-by
Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
Điều khiển bus lệnh và địa chỉ đã được kết thúc
PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
Chân tiếp xúc mạ vàng
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS và không chứa Halogen
Đọc tiếp
Quick View
RAM Colorfire MEOW DDR5 32GB (16×2) 6400 C32 OC
Liên hệ
RAM Colorfire MEOW DDR5 32GB (16×2) 6400 C32 OC là dòng bộ nhớ DDR5 thế hệ mới dành cho những ai muốn tối ưu hiệu suất PC nhưng vẫn giữ được chất riêng trong góc máy. Thiết kế lấy cảm hứng từ mèo với họa tiết dấu chân dễ thương và dải đèn ARGB sống động giúp dàn PC trở nên nổi bật ngay từ khi nhìn thấy.
Xuất xứ: China
Đọc tiếp
Quick View
RAM Netac Shadow II DDR4 Black
Liên hệ
Nếu bạn đang tìm kiếm một giải pháp nâng cấp bộ nhớ cho máy tính của mình, thì RAM Netac Shadow II DDR4 Black chính là sự lựa chọn hoàn hảo. Với tần số cao từ 2666MHz đến 3600MHz, sản phẩm này mang đến hiệu suất vượt trội, giúp máy tính của bạn hoạt động nhanh chóng và mượt mà hơn bao giờ hết.
Xuất xứ: China
Lựa chọn tùy chọn