RAM Netac Shadow III DDR4 White
Liên hệRAM Netac Shadow III DDR4 White hội tụ đầy đủ yếu tố anh em cần: đẹp – bền – mạnh – giá tốt. Từ khả năng XMP tiện lợi, hiệu năng ổn định đến thiết kế trắng sang trọng, đây là món nâng cấp “đáng tiền nhất” cho mọi hệ thống PC.
- Xuất xứ: China
RAM Netac Shadow II RGB DDR5 7600 32GB(16GB*2)
Liên hệVới sự kết hợp giữa tốc độ khủng 7600MHz, RGB sống động, thiết kế tản nhiệt cao cấp cùng công nghệ On-die ECC & PMIC, RAM Netac Shadow II RGB DDR5 7600 chính là mảnh ghép hoàn hảo để nâng cấp sức mạnh cho dàn PC gaming hoặc workstation của bạn.
- Xuất xứ: China
RAM Netac Shadow RGB DDR4 Silver
Liên hệTính năng
- Hiệu ứng đèn RGB có thể điều chỉnh
- Kết thúc trên chip (ODT) cho tín hiệu dữ liệu, strobe và mask
- Tự làm mới tự động tiêu thụ điện năng thấp (LPASR)
- Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu
- Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ trên chip
- EEPROM phát hiện hiện diện nối tiếp I2 trên bo mạch
- 16 bank nội bộ; 4 nhóm mỗi nhóm 4 bank
- Cắt cố định burst (BC) là 4 và chiều dài burst (BL) là 8 thông qua bộ đăng ký chế độ (MRS)
- Chọn BC4 hoặc BL8 trên đường bay (OTF)
- Kiểm tra dư thừa tuần hoàn (CRC) ghi dữ liệu bus
- Làm mới được kiểm soát nhiệt độ (TCR)
- Parity lệnh/địa chỉ (CA)
- Hỗ trợ địa chỉ hóa từng DRAM
- 8 bit pre-fetch
- Kiến trúc fly-by
- Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
- Bus lệnh và địa chỉ kết thúc
- PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
- Tiếp xúc cạnh mạ vàng
- Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
RAM Netac Shadow RGB DDR4 Grey
Liên hệ- Hiệu ứng ánh sáng RGB có thể điều chỉnh
- Điện trở trên chip (ODT) cho tín hiệu dữ liệu, chốt và mặt nạ
- Tự làm mới với công suất thấp (LPASR)
- Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu
- Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ trên chip
- EEPROM phát hiện hiện diện nối tiếp I2 trên bo mạch
- Burst chop cố định (BC) là 4 và độ dài burst (BL) là 8 thông qua thiết lập thanh ghi chế độ (MRS)
- Chọn lựa BC4 hoặc BL8 trên chuyến bay (OTF)
- Kiểm tra dư thừa tuần hoàn (CRC) của bus ghi dữ liệu
- Làm mới điều khiển nhiệt độ (TCR)
- Độ trễ lệnh/địa chỉ (CA) parity
- Hỗ trợ địa chỉ từng DRAM
- Tiền truy xuất 8 bit
- Kiến trúc Fly-by
- Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
- Điều khiển bus lệnh và địa chỉ đã được kết thúc
- PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
- Chân tiếp xúc mạ vàng
- Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS và không chứa Halogen
RAM Netac Basic DDR5 U-DIMM
Liên hệTính năng:
- Điện Áp Tiêu Chuẩn
DRAM VDD/VDDQ = 1.1V Typical, DRAM VPP = 1.8V Typical, VDDSPD = 1.8V to 2.0V. - Cấu Hình Nâng Cao
32 Bank với x4/x8, 16 Bank với x16, 8 nhóm Bank (Bank Group) cho các cấu hình X4/X8/X16. - Hỗ Trợ BL16, BC8 OTF, BL32, BL32 OTF
- Làm Mới Cùng Bank (Same Bank Refresh)
- Thay Đổi Tần Số Xung Đầu Vào (Input Clock Frequency Change)
- Lệnh Đa Năng (Multi-Purpose Command – MPC)
- Địa Chỉ Mỗi DRAM (Per DRAM Addressability – PDA)
- Kiểm Tra Kết Nối (Connectivity Test – CT) / Hiệu Chỉnh ZQ (ZQ Calibration)
- Cân Bằng Phản Hồi Quyết Định (Decision Feedback Equalization – DFE) cho DQ
- Dao Động Khoảng Cách DQS (DQS Interval Oscillator)
- Sửa Lỗi ECC Trên Die (On-Die ECC)
- Kiểm Tra Chu Kỳ (Cyclic Redundancy Check – CRC)
- Chế Độ Kiểm Tra Đầu Ra Gói (Package Output Driver Test Mode)
- Các Chế Độ Đào Tạo (Training Modes):
- Đào Tạo VrefDQ / VrefCA / VrefCS
- Chế Độ Đào Tạo Đọc (Read Training Mode)
- Chế Độ Đào Tạo CA (CA Training Mode)
- Chế Độ Đào Tạo CS (CS Training Mode)
- Đào Tạo VREFDQ Mỗi Pin (Per Pin VREFDQ Training)
- Chế Độ Đào Tạo Cấp Độ Ghi (Write Leveling Training Mode)
- Điều Chỉnh Chu Kỳ Nhiệm Vụ (Duty Cycle Adjuster – DCA) cho Đọc – Toàn Cầu
- Điều Chỉnh Chu Kỳ Nhiệm Vụ Mỗi Pin (Per Pin DCA) cho Đọc – Mỗi Pin (DQ)
- PCB: Chiều Cao 1.23” (31.25mm)
- Tuân Thủ RoHS và Không Chứa Halogen
- Điện Áp Tiêu Chuẩn
RAM Netac Basic SODIMM DDR4
Liên hệTính năng nổi bật
- Nguồn cung cấp: VDD = 1.2V (1.14V đến 1.26V)
- VDDQ: 1.2V (1.14V đến 1.26V)
- VPP: 2.5V (2.375V đến 2.75V)
- VDDSPD: 2.25V đến 3.6V
- Kết thúc trên die danh định và động (ODT) cho dữ liệu, nhịp và tín hiệu mặt nạ
- Tự làm mới tự động tiết kiệm điện (LPASR)
- Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu
- Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ trên die
- EEPROM phát hiện sự hiện diện nối tiếp I2C trên bo mạch (SPD)
- Chặt nổ cố định (BC) của 4 và chiều dài nổ (BL) của 8 thông qua tập hợp thanh ghi chế độ (MRS)
- Chọn BC4 hoặc BL8 theo yêu cầu (OTF)
- Kiểm tra chu kỳ dư (CRC) của bus ghi dữ liệu
- Làm mới điều khiển nhiệt độ (TCR)
- Chẵn lẻ lệnh/địa chỉ (CA)
- Hỗ trợ địa chỉ từng DRAM
- Nạp trước 8 bit
- Cấu trúc liên kết fly-by
- Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
- Kết thúc lệnh điều khiển và bus địa chỉ
- PCB: Chiều cao 1.18” (30.00mm)
- Tiếp xúc cạnh vàng
- Tuân thủ RoHS và không chứa halogen
RAM Netac Z RGB DDR5
Liên hệ- Hiệu ứng đèn RGB có thể điều chỉnh
- 32 Bank với x4/x8 / 16 Bank với x16
- 8 BG (Nhóm Bank) cho các cấu hình X4/X8/X16
- Hỗ trợ BL16, BC8 OTF, BL32, BL32 OTF
- Làm mới cùng Bank
- Thay đổi tần số xung nhịp đầu vào
- Lệnh Đa Mục Đích (MPC)
- Khả năng địa chỉ hóa từng DRAM (PDA)
- Kiểm tra kết nối (CT) / Hiệu chuẩn ZQ
- DFE (Equalizer phản hồi quyết định) cho DQ
- Bộ dao động khoảng thời gian DQS
- ECC trên chip
- CRC (Kiểm tra dư thừa tuần hoàn)
- Chế độ kiểm tra đầu ra gói
- Các chế độ huấn luyện:
- Huấn luyện VrefDQ / VrefCA / VrefCS
- Chế độ huấn luyện đọc
- Chế độ huấn luyện CA
- Chế độ huấn luyện CS
- Huấn luyện VREFDQ từng chân
- Chế độ huấn luyện mức ghi
- Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ (DCA) cho đọc – Toàn cầu
- Điều chỉnh chu kỳ nhiệm vụ từng chân (DCA) cho đọc – Từng chân (DQ)
- PCB: Chiều cao 1.23” (31.25mm)
- Tuân thủ RoHS và không chứa halogen













































